GE IS200IGPAG2A Gate Drive Netzteil

Marke: Ge

Punkt Nr.: IS200IGPAG2A

Einheitspreis: 999 $

Zustand: brandneu und originell

Qualitätsgarantie: 1 Jahr

Zahlung: T/T und Western Union

Lieferzeit: 2-3 Tage

Versandhafen: China


Produktdetail

Produkt -Tags

Allgemeine Info

Herstellung GE
Punkt Nr IS200IGPAG2A
Artikelnummer IS200IGPAG2A
Serie Mark VI
Herkunft Vereinigte Staaten (US))
Dimension 180*180*30 (mm)
Gewicht 0,8 kg
Zollzöllernummer 85389091
Typ Gate Drive Netzteil

 

Detaillierte Daten

GE IS200IGPAG2A Gate Drive Netzteil

Die GE IS200IGPAG2A GATE TRAVER-Stromversorgungsboard wird verwendet, um Strom- und Steuersignale für den Gate Drive-Schaltkreis bereitzustellen, wodurch der zuverlässige Betrieb von Hochleistungsschaltgeräten in Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen zuverlässig ist.

Die IS200IGPAG2A -Karte ist in erster Linie für die Bereitstellung von Gate -Antriebssignalen für Stromtransistoren und MOSFETs verantwortlich. Es wird in der Leistungselektronik für die Motorsteuerung, die Turbinenkontrolle und die Stromregulierung in Industriesystemen verwendet.

Da es die Anforderungen an Hochspannung verwaltet und einen genauen Betrieb der Schaltelemente gewährleistet, verringert es das Risiko einer Überlastung oder des Ausfalls. Die Karte erzeugt die erforderliche Hochfrequenzleistung, um diese Stromtransistoren effizient ein- und auszuschalten.

IS200IGPAG2A

Häufig gestellte Fragen zum Produkt sind wie folgt:

-Was ist die Hauptfunktion des IS200IGPAG2A -Boards?
Bietet Strom- und Kontrollsignale für Gate -Antriebsschaltungen für IGBTs und MOSFETs, die zur Steuerung der Stromeelektronik in Turbinen, Motoren und anderen schweren Maschinen verwendet werden.

-Wie funktioniert der IS200IGPAG2A in einem Turbinenkontrollsystem?
In einem Turbinenkontrollsystem liefert der IS200IGPAG2A Stromtransistoren, die Turbinengeschwindigkeit, Last und andere Betriebsparameter regulieren.

-Des Die IS200IGPAG2A bietet Schutzmerkmale?
Der IS200IGPAG2A umfasst Überspannungsschutz-, Fehlererkennungs- und Spannungsisolierungsmerkmale, um das Steuerungssystem und Hochleistungskomponenten vor elektrischen Anomalien zu schützen.


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