GE200BPIAG1AEB BRIDGE Անհատական ինտերֆեյսի խորհուրդը
Ընդհանուր տեղեկություններ
| Արտադրել | GE |
| Նյութ ոչ | IS200BPIAG1AEB |
| Հոդվածի թիվը | IS200BPIAG1AEB |
| Շարք | Մարկ VI |
| Ծագում | Միացյալ նահանգներ (ԱՄՆ) |
| Չափում | 180 * 180 * 30 (մմ) |
| Քաշ | 0,8 կգ |
| Մաքսային սակագնի համարը | 85389091 |
| Տիպ | Bridge անհատականության միջերեսի խորհուրդը |
Մանրամասն տվյալներ
GE200BPIAG1AEB BRIDGE Անհատական ինտերֆեյսի խորհուրդը
Ապրանքի նկարագրությունը.
IS200BPIA BRIDGE անհատական միջերեսի միջերեսը (BPIA) տրամադրում է IGBT եռաֆազ ac- ի կառավարման վերահսկման եւ էլեկտրաէներգիայի էլեկտրոնիկայի միջեւ ինտերֆեյսը: Ինտերֆեյսը բաղկացած է վեց մեկուսացված IGBT (IGBT) դարպասի սկավառակային սխեմաներից, երեք մեկուսացված Shunt լարման վերահսկվող օսկիլատորի (VCO) հետադարձ կապի սխեմաներ եւ մեկուսացված VCO արձագանքների սխեմաներ, DC հղման, VAB եւ VBC- ի ելքային լարում: Այս տախտակում նախատեսված է նաեւ ապարատային փուլային գերլարում եւ IGBT անկապատացման անսարքության պաշտպանություն: Bridge Control միացումներն արվում են P1 միակցիչի միջոցով: A, B եւ C փուլ IGBTS- ի կապերը կատարվում են վեց խրոցակի միակցիչների միջոցով: BPIA- ի խորհուրդը տեղադրված է VME տիպի դարակաշարով:
Էլեկտրաէներգիայի պարագաներ.
Գոյություն ունեն ինը մեկուսացված էլեկտրամատակարարում, որոնք բխում են երեք տրանսֆորմատորների երկրորդականներից, մեկը `յուրաքանչյուր փուլի համար: A 17.7V AC քառակուսի ալիքի մուտքագրում Տրանսֆորմատորին առաջնային է P1 միակցիչից: Յուրաքանչյուր տրանսֆորմատորի երեք ռելեայից երկուսը կիսով չափ ալիք են շտկվում եւ զտվում են երկու մեկուսացված + 15V (VCC) եւ -7.5V (VEE) մատակարարումներին, որոնք պահանջվում են վերին եւ ստորին IGBT դարպասի սկավառակով: Երրորդ միջնակարգը լիարժեք ալիքով շտկված է եւ զտված է մեկուսացված ± 12V- ի համար անհրաժեշտ է shunt ընթացիկ եւ փուլային լարման հետադարձ կապի համար: Թեթեւ 5V տրամաբանության մատակարարումը ստեղծվում է նաեւ 5 վ գծային կարգավորիչով, որը գտնվում է -12V մատակարարման վրա:
Մոդուլը վարում է IGBT դարպասը VCC- ի եւ VEE- ի միջեւ: Վերին եւ ստորին մոդուլի վերահսկման մուտքերը հակա-զուգահեռ են, որպեսզի չխանգարեն միաժամանակ միաժամանակ:
Drive Circuit- ը կարող է առաջացնել երկու տեսակի սխալներ: Երբ մոդուլը հրամայվում է միացնել IGBT- ն, մոդուլը վերահսկում է IGBT- ի Emitter- ի եւ կոլեկցիոների միջեւ լարման անկումը: Եթե այս լարում գերազանցում է մոտավորապես 10 Վ-ն ավելի քան 4,2-ից ավելի մանրադիտակ, մոդուլը շրջում է IGBT- ն եւ հաղորդում է անապատի մեղքը: Դիտարկվում է նաեւ VCC- ի եւ VEE- ի լարման միջեւ: Եթե այս լարման նվազումը 18 Վ-ից ցածր է, տեղի է ունենում թերագնահատման (ուլտրամանուշակագույն) մեղք: Այս երկու սխալները հավաքվում են միասին եւ օպտիկականորեն զուգորդվում են կառավարման տրամաբանությանը:
Արտադրանքի վերաբերյալ հաճախակի տրվող հարցերը հետեւյալն են.
-Որն է GE200BPIAG1AEB BRIDGE անհատական միջերեսի տախտակի գործառույթը:
IS200BPIAG1AEB խորհուրդը ծառայում է որպես համակարգի կառավարման համակարգի եւ այլ ապարատների միջեւ ինտերֆեյս: Այն աջակցում է բազմաթիվ հաղորդակցման արձանագրություններին եւ օգնում է կարգաբերել համակարգի կապերը:
-Ինչ սարքերն են անում IS200BPIAG1AEB ինտերֆեյսը:
Խորհրդը ինտերֆեյսով ինտերֆեյսով է տարբեր արտաքին սարքեր, ներառյալ, I / O մոդուլներ, դաշտային սարքեր, կապի ցանցեր, կառավարման համակարգի պահարաններ:
-Որն են խնդիրների լուծման քայլերը, եթե IS200BPIAG1AEB խորհուրդը պատշաճ կերպով չի գործում:
Ստուգեք էլեկտրամատակարարումը `ապահովելու համար, որ խորհուրդը ստանում է պատշաճ լարման, եւ որ էլեկտրամատակարարումը կայուն է: Ստուգեք կապերը `ստուգելու համար, որ բոլոր արտաքին կապերն ապահով են անվտանգ եւ լարված: Տախտակները սովորաբար ունենում են ախտորոշիչ LED- ներ, որոնք ցույց են տալիս, թե խորհուրդը պատշաճ կերպով գործում է: Ստուգեք սխալի ցանկացած կոդ կամ նախազգուշացման ազդանշաններ:
Համոզվեք, որ տախտակը ճիշտ կազմաձեւված է համակարգի ծրագրային ապահովման մեջ: Ոչ պատշաճ կազմաձեւումը կարող է հաղորդակցման խնդիրներ առաջացնել:
Վնասված մալուխները կամ միակցիչները կարող են առաջացնել հաղորդակցության ձախողումներ կամ ազդանշանային կորուստ: Փոխեք ցանկացած թերի բաղադրիչ: Փնտրեք ցանկացած սխալի հաղորդագրություններ համակարգի մատյանում, որը կարող է ցույց տալ ձախողում Խորհրդի կամ միացված սարքերի մեջ:
