ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Módulo IGCT
Informações gerais
Fabricação | ABB |
Item no | 5SHY4045L0001 |
Número do artigo | 3BHB018162 |
Série | VFD dirige a parte |
Origem | Suécia |
Dimensão | 73*233*212 (mm) |
Peso | 0,5 kg |
Número da tarifa aduaneira | 85389091 |
Tipo | Módulo IGCT |
Dados detalhados
ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Módulo IGCT
ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 O módulo IGCT é um módulo de tiristor comuximado por porta integrado para comutação de alta potência em sistemas eletrônicos de energia. O IGCT combina as vantagens dos tiristores de desligamento do portão e transistores bipolares de porta isolados para fornecer comutação eficiente e de alta velocidade para aplicações de alta potência. Ele foi projetado para aplicações que requerem controle preciso e alta eficiência.
Projetados para lidar com altas correntes e tensões, os módulos IGCT são ideais para conversores de energia, acionamentos de motor e sistemas DC de alta tensão. A tecnologia IGCT permite uma comutação rápida e eficiente de alta potência, ajudando a reduzir as perdas e melhorar o desempenho do sistema.
Inclui circuitos integrados de acionamento portão para controlar efetivamente a comutação do IGCT. Isso é fundamental para minimizar as perdas de comutação e melhorar a eficiência geral do sistema. Os IGCTs são mais eficientes do que outros dispositivos de semicondutores, especialmente em níveis mais altos de potência, devido a suas capacidades de comutação mais rápidas e perdas de condução mais baixas.
Os módulos IGCT da ABB são projetados para suportar os severos ambientes operacionais de sistemas de alta potência, fornecendo confiabilidade a longo prazo e estabilidade operacional.

As perguntas frequentes sobre o produto são as seguintes:
-O que é o módulo IGCT 3BHB018162?
O ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 é um módulo Tyyristor cometido por gate integrado projetado para aplicações de comutação de alta energia. É usado para controlar e alternar correntes e tensões altas nos sistemas.
-O que são IGCTs e por que eles são usados neste módulo?
Os IGCTs são dispositivos semicondutores avançados que combinam os altos recursos de manuseio de corrente dos tiristores com os recursos de comutação rápida dos IGBTs. Eles são projetados para aplicações de alta potência e alta tensão que requerem alta eficiência, comutação rápida e perdas mínimas.
-Que as principais vantagens do uso de IGCTs neste módulo?
Os IGCTs podem lidar com correntes e tensões mais altas do que outros dispositivos, tornando-os adequados para aplicações de energia em larga escala. Eles têm tempo de ativação rápida e desligamento, o que reduz as perdas de comutação e aumenta a eficiência. Eles têm baixas perdas de condução, mantendo alta eficiência, mesmo sob condições de alta potência.