GE IS200DAMDG1A Placa de driver de portão
Informações gerais
Fabricação | GE |
Item no | IS200DAMDG1A |
Número do artigo | IS200DAMDG1A |
Série | Marcos VI |
Origem | Estados Unidos (EUA) |
Dimensão | 180*180*30 (mm) |
Peso | 0,8 kg |
Número da tarifa aduaneira | 85389091 |
Tipo | Placa de motorista do portão |
Dados detalhados
GE IS200DAMDG1A Placa de driver de portão
Em aplicações como controle da turbina e automação industrial, o GE IS200DAMDG1A aciona o portão de um transistor bipolar isolado ou retificador controlado por silício.A placa do driver de portão IS200DAMDG1A interfina com eletrônicos de energia para regular o fluxo de corrente, permitindo o controle preciso dos dispositivos de comutação de energia.
O IS200DAMDG1A é usado para acionar o portão de dispositivos de comutação de energia, como IGBTS ou SCRS. Para controlar as cargas de alta tensão e alta corrente em sistemas industriais.
Fornecendo controle de comutação de alta velocidade, garante uma comutação rápida e confiável de dispositivos de energia para minimizar as perdas de comutação e melhorar a eficiência do sistema.
A placa possui isolamento elétrico entre os sinais de controle de entrada e os sinais de alta potência que acionam o portão do IGBT/SCR. Este isolamento protege o sistema de controle das altas tensões e correntes envolvidas na comutação de energia.

As perguntas frequentes sobre o produto são as seguintes:
-Que a placa de motorista GE IS200DAMDG1A GATE é usada?
A placa IS200DAMDG1A é usada para dirigir o portão de um IGBT ou SCR para controlar dispositivos de comutação de energia em aplicações de alta potência, como controle de turbinas, geração de energia e controle de motor industrial.
-Como a placa IS200DAMDG1A protege o sistema?
Características de sobrecorrente, sobretensão e proteção de curto-circuito protegem o sistema IGBT/SCR e o sistema de controle de danos causados por falhas elétricas.
-O IS200DAMDG1A placa manipular a comutação de alta velocidade?
O IS200DAMDG1A suporta comutação de alta velocidade, que permite que os dispositivos de energia sejam alterados com rapidez e eficiência.