ABB 83SR50C-E GJR2395500R1210 Mô-đun điều khiển
Thông tin chung
| Sản xuất | ABB |
| Mục không | 83SR50C-E |
| Số bài viết | GJR2395500R1210 |
| Loạt | Procontrol |
| Nguồn gốc | Thụy Điển |
| Kích thước | 198*261*20 (mm) |
| Cân nặng | 0,55 kg |
| Số thuế quan | 85389091 |
| Kiểu | I-o_module |
Dữ liệu chi tiết
Mô-đun điều khiển ABB 83SR50C-E GJR2395500R1210
Bảng điều khiển ABB 83SR50C-E GJR2395500R1210 là một thành phần chính của hệ thống ABB Procontrol P14, được thiết kế để tự động hóa và kiểm soát các ứng dụng trong nhiều môi trường công nghiệp. Mô -đun điều khiển cung cấp các chức năng cơ bản để quản lý quy trình và tích hợp hệ thống.
Tính năng sản phẩm:
-Due cho sự lỗi thời của flash Prom (nhà sản xuất: AMD) trên ba mô -đun 81EU50R1210, 83SR50R1210 và 83SR51R1210, một thành phần thay thế (nhà sản xuất: Macronix) đã được triển khai vào tháng 10 năm 2018.
-Trong một dự án sử dụng các mô -đun được phân phối với flash mới, các vấn đề đã được tìm thấy với các ứng dụng viết/đọc bằng PDD.
-Có các mô -đun tải các ứng dụng thông qua PDD. Đây là lần đầu tiên được viết cho Ram. Sau đó, trình xử lý của mô -đun sao chép ứng dụng từ RAM sang Flash. Tuy nhiên, với PDD, quy trình đã hoàn tất sau khi ghi vào RAM thành công, vì vậy PDD không báo cáo bất kỳ lỗi nào.
-Copying từ Ram đến Flash không xảy ra hoặc chỉ xảy ra một phần. Nếu bạn cố gắng đọc lại ứng dụng bằng PDD, nó sẽ được truy vấn từ Flash. Vì không có dữ liệu hoặc dữ liệu không chính xác, thông báo lỗi "đã bị vô hiệu hóa, mã danh sách không tìm thấy" xuất hiện.
-Khi rút phích cắm và cắm mô -đun, ứng dụng được lưu trữ trong RAM bị xóa, vì bộ nhớ không biến động.
-Can có thể được tích hợp liền mạch với các thiết bị và hệ thống ABB khác, giúp người dùng thuận tiện xây dựng một hệ thống điều khiển tự động hóa công nghiệp hoàn chỉnh
-Trong các điều khoản của thiết kế chống can thiệp, mô-đun ABB 83SR50C-E đã thực hiện nhiều biện pháp hiệu quả. Đầu tiên, việc ngăn chặn các nguồn can thiệp là ưu tiên hàng đầu và nguyên tắc quan trọng nhất trong thiết kế chống giao thoa. Việc giảm DU/DT của các nguồn nhiễu chủ yếu đạt được bằng cách kết nối các tụ điện song song ở cả hai đầu của nguồn giao thoa.
-Có đầu cung cấp năng lượng phải dày và ngắn nhất có thể, nếu không nó sẽ ảnh hưởng đến hiệu ứng lọc; Tránh nếp gấp 90 độ khi dây để giảm nhiễu tần số cao; Kết nối các mạch ức chế RC ở cả hai đầu của thyristor để giảm nhiễu do thyristor tạo ra. Thứ hai, cắt đứt hoặc làm giảm đường truyền của nhiễu điện từ cũng là một biện pháp chống can thiệp quan trọng. Ví dụ, phân vùng bảng PCB để tách mạch nhiễu băng thông cao khỏi mạch tần số thấp; giảm thiểu diện tích của vòng lặp mặt đất, v.v.
-Ngoài ra, cải thiện khả năng chống giao thoa của thiết bị và hệ thống cũng là chìa khóa. Chọn các sản phẩm có khả năng chống can thiệp cao hơn, chẳng hạn như các hệ thống PLC với công nghệ mặt đất nổi và hiệu suất cách ly tốt.
